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硅碳负极材料在不完全脱锂态的动力学衰减分析研究

能源与动力工程

资助企业: 宁德时代新能源科技股份有限公司

资助年份: 2026

企业导师: 吴李力

指导教师: 罗柳轩

项目成员: 顾晟栋 冀佳豪

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项目简介

项目概述

本项目聚焦于硅碳负极材料在“不完全脱锂态”下出现的容量异常衰减现象(即“假死/记忆效应”),采用第一性原理计算与电化学实验表征相结合的研究范式,从原子尺度到宏观电化学系统揭示了该失效模式的微观动力学机制。

理论研究部分以非晶LixSix=0.25,1.0,2.0)为模型,通过“熔融淬火”分子动力学构建非晶结构,利用密度泛函理论计算了电子结构、锂离子扩散能垒(CINEB方法)及力学性能。实验研究部分以企业提供的硅碳复合材料为对象,组装扣式半电池,通过恒流充放电、电化学阻抗谱、恒电流间歇滴定等测试,结合扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等物相表征,系统考察了不同电压窗口下容量衰减与晶相演变的关联。

通过理论与实验的深度互证,本项目首次定量揭示了高锂化态下锂离子扩散能垒骤升至0.81eV是导致锂离子被“锁定”的原子尺度根源,并验证了晶态Li15Si4相在不完全脱锂时的逐圈积累是容量“假死”的直接原因,同时证实深度放电可使能垒消失、晶相分解、容量恢复。


项目目标

1. 构建不同锂含量非晶LixSi的原子模型,通过径向分布函数验证其非晶特征,并计算形成能评估热力学稳定性。

2. 揭示锂含量对电子导电性的影响规律,明确硅骨架(Si3p轨道)主导电子传输,排除电子传导瓶颈作为“假死”主因的可能性。

3. 定量计算锂离子扩散能垒,阐明高锂化态(x=2.0)下锂离子被严重“锁定”的动力学本质,建立扩散能垒与“假死/记忆效应”之间的直接关联。

4. 通过电化学测试复现不完全脱锂态的容量骤降现象,利用dQ/dV、EIS、GITT等方法量化晶相残留对电荷转移电阻和锂离子扩散系数的影响。

5. 从物相与微观结构层面验证晶相残留机制,利用XRD、XPS、TEM等手段证实Li15Si4晶相在浅度脱锂下的不可逆积累及深度放电的可消除性。

6. 区分两种不同的容量衰减路径:不完全脱锂下的“晶相阻塞”主导型衰减vs.全循环下的“机械疲劳”主导型衰减,为硅碳负极的充放电策略优化提供理论依据。


项目成果

1.理论成果

l 成功构建了三种锂含量(x=0.25,1.0,2.0)的非晶LixSi模型,径向分布函数验证了典型的“短程有序、长程无序”非晶特征。形成能计算表明低锂态(x=0.25)和高锂态(x=2.0)热力学稳定,中等锂态(x=1.0)处于亚稳态。

l 电子结构分析显示所有模型均呈现金属性,且随锂含量升高金属性增强;电子导电性始终由Si3p轨道主导,Li2s轨道贡献极低,证明“假死”的根源不是电子传输受阻。

l CINEB扩散能垒计算:低/中锂化态(x=0.25,1.0)能垒趋近0,锂离子迁移几乎无障碍;高锂化态(x=2.0)能垒高达0.81eV,锂离子被严重“锁定”。这从原子尺度解释了深度锂化后浅度脱锂时容量骤降的动力学原因。

l 力学性能计算:随锂含量增加,体积模量从102.7Gpa降至30.7Gpa,杨氏模量从71.2Gpa降至38.8Gpa,材料刚度下降但仍保持延展性(Pugh比<0.57),揭示高锂化态下“力学软化”与“扩散受阻”并存的矛盾特性。

2.实验成果

l 复现了“假死/记忆效应”:在10–320mV不完全脱锂窗口下,电池容量在数十圈内骤降至50%以下,而一次深度放电(10–1000mV)可使容量几乎完全恢复。

l dQ/dV分析:全循环(10–1000mV)在约0.44V处出现尖锐的晶相分解峰,而不完全脱锂样品该峰消失,证明晶相残留。

l EIS测试:不完全脱锂样品的电荷转移电阻Rct最高(34.66Ω),而全循环样品最低(20.18Ω),表明晶相残留与SEI增厚严重阻塞界面电荷转移。

l GITT测试:不完全脱锂样品的锂离子平均化学扩散系数最低(3.00*10-10cm2/s),进一步证实晶相残留对固相扩散的阻塞效应。

l 物相表征:XRD仅在不完全脱锂样品中检测到Li15Si4的特征衍射峰;XPS显示浅度脱锂后表面形成高锂还原态(结合能90.5eV),深度脱锂后可恢复至低锂态;TEM证实窄窗口循环后电极内部存在晶相残留但宏观形貌完整,而全循环后碳包覆层出现明显断裂与缺陷。

l 区分了两种衰减路径:不完全脱锂以晶相阻塞为主(形貌完好但内部失活),全循环以机械疲劳为主(碳层破损、缺陷增多)。

3.理论实验闭环印证

l 理论计算的0.81eV高扩散能垒完美解释了实验中高Rct与低Dava的动力学瓶颈。

l 理论预测的“低/中锂态易迁移”与实验中深度放电回到低锂态后容量恢复的现象高度一致。

l 共同确立了“高锂化→晶相生成→脱锂不彻底→晶相残留→扩散能垒升高/电荷转移电阻增大→容量骤降→深度放电消除晶相→能垒消失→容量恢复”的完整物理图像。


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